簡介
1956年，在我國十二年科學技術發展遠景規劃中，半導體科學技術被列為當時國家新技術四大緊急措施之一。為了創建中國半導體科學技術的研究發展基地，國家于1960年9月6日在北京成立中國科學院半導體研究所（以下簡稱半導體所），開啟了中國半導體科學技術的發展之路。

半導體所擁有兩個國家級研究中心—國家光電子工藝中心、光電子器件國家工程研究中心；三個國家重點實驗室—半導體超晶格國家重點實驗室、集成光電子學國家重點聯合實驗室、表面物理國家重點實驗室(半導體所區)；兩個院級實驗室(中心)—中科院半導體材料科學重點實驗室和中科院固態光電信息技術重點實驗室。此外，還設有半導體集成技術工程研究中心、光電子研究發展中心、半導體照明研發中心、高速電路與神經網絡實驗室、納米光電子實驗室、光電系統實驗室、全固態光源實驗室和元器件檢測中心。

半導體所現有職工700余名。其中科技人員約480余名。包括中國科學院院士9名，中國工程院院士2名，高層次引進人才計劃30人，國家“萬人計劃”入選者6人，國家杰出青年科學基金獲得者20人，“百千萬人才工程”入選者11人，其中黃昆院士榮獲2001年國家最高科學技術獎。設有3個博士后流動站，4個一級學科博士培養點，2個專業學位授權點。

半導體所高度重視國內外交流合作，與地方政府、科研機構、大學和企業等共建了近40個聯合實驗室，積極為企業和區域經濟社會發展服務。同時積極開展多層次、全方位的國際學術交流與合作，成績顯著，科學技術部和國家外國專家局批準成立“國家級國際聯合研究中心”。并且以自主知識產權的專利和專有技術投資，融合社會資本建立了10余家高技術企業，并實施科研成果轉化為現實生產力，已初步形成產業化、商品化規模。

半導體所秉承“兩個卓越”和“三個推動”的辦所理念，奮斗不息，勇攀高峰，取得了快速發展，研究所現已發展成為集半導體物理、材料、器件研究及其系統集成應用于一體的國家級半導體科學技術的綜合性研究機構。

半導體所的中長期發展戰略目標是：開展與國家發展密切相關的、世界科技前沿的基礎性、前瞻性、戰略性科技創新活動，為發展我國的高新技術提供源源不斷的動力；以國家重大需求為導向，開展前沿基礎和應用技術研究，為國家科技發展提供支撐，并為相關行業的技術進步作出貢獻；吸引、聚集和培養國際一流人才；建立具有國際先進水平的、開放的實驗研究和測試平臺，實現科技創新能力的跨越和持續發展，成為引領我國半導體科學技術發展的火車頭。
院系設置
半導體超晶格國家重點實驗室
集成光電子學國家重點實驗室
表面物理國家重點實驗室
光電子器件國家工程中心
中科院半導體材料科學重點實驗室
中科院固態光電信息技術重點實驗室
光電子研究發展中心
半導體照明研發中心
半導體集成技術工程研究中心
納米光電子實驗室
高速電路與神經網絡實驗室
全固態光源實驗室
光電系統實驗室
聯系方式
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